晶圓、硅片作為芯片的基材一直都廣受關注，自5G時代開始以來研發芯片都是我國的重點之一，晶圓需求也同步上漲更是成為了緊俏品，這與晶圓高精度外觀要求息息相關。晶圓制備方法是硅錠切割再加工，切割技術、設備磨損、硅錠材料等因素都會影響切割后的晶圓外觀尺寸，加上晶圓表面光潔度的嚴格要求，到底什么設備才能適用于晶圓的平面度、厚度、外觀尺寸的測量呢？

晶圓切割時切割線的緊力與切割角度等各項環境因素都會致使晶圓平面度不足，晶圓片的平面度不均就會影響光刻膠各面積的受熱程度，終會導致晶圓蝕刻CDuniformity均勻度不足。海科思激光平面度測量儀通過高精度激光對晶圓表面進行線掃描或者點掃描，然后再一次性數據采集后通過的平整度軟件計算，可以在屏幕上直接看到晶圓的平整度、平面度、翹曲度等誤差測量判定數據，并給出OK/NG的結果，省去了大量的人工成本以及計算時間。

晶圓經過蝕刻、打磨后都需要高精度測量厚度，晶圓厚度符合與否影響著后續的運輸、封裝等工序，晶圓太厚會致使劃片刀快速磨損、厚度太薄會使晶圓在移動和制備的過程中發生崩角、斷裂，加上散熱、電阻率等因素致使晶圓厚度嚴格遵守設計標準。上下激光厚度測量儀采用上下兩套進口激光測量系統，非接觸式測量方法，防止刮傷產品，可單點測量，也可以多點測量，并通過測量軟件保存測量數據，可以設定產品的公差，不合格產品顯示出來快速完成晶圓厚度測量。

海科思有多套適用于半導體行業的測量設備，如有需求歡迎致電海科思全國服務熱線：400-0528-668